芯片封装-多层结构切片分析案例(研磨篇)

案例设定

内容

适用样品

芯片、硅片、树脂、铜线、陶瓷填料和多层封装截面。

观察目标

看芯片层位、硅片边缘、铜线位置和树脂/填料界面。

研磨配置

SMARTLAM 2.0 手动磨抛机，200 mm盘面；SiC STANDARD P1200 / P2400 / P4000。

控制重点

样品状态

研磨目标

层位接近

芯片封装层次多，目标层位不一定在中心。

先确认方向，再逐步靠近目标层。

硬脆边缘

硅片、陶瓷填料和树脂硬度差大。

细粒度推进；硬脆结构暴露后可接金刚石薄膜砂纸。

多层支撑

层间支撑不足时，边缘容易开口。

镶嵌先撑住结构，再进入P4000整理。

控制重点

推荐型号

耗材特点

制样表现

层位接近

SiC STANDARD P1200

细磨起步。

减少硅片边缘和树脂界面的粗磨拉伤。

硬脆细化

SiC STANDARD P2400

继续收细前道纹。

硅片和陶瓷填料边缘更稳。

抛光前整理

SiC STANDARD P4000

形成浅细纹；硬脆结构可接金刚石薄膜砂纸。

后续细抛更容易保持层位。

控制重点

SMARTLAM 2.0特点

起始设置

制样表现

停点观察

手动接触，短时间推进。样品接近目标时可以马上停下来确认。

200 mm盘面；120-160 rpm；手动轻压。

目标位置不容易一次磨过。

方向控制

样品方向由操作者直接控制，孔壁、焊点或层位可以按目标方向靠近。

每道15-30 s；冲洗后观察。

截面偏斜时能及时修正。

细磨承接

P1200、P2400、P4000逐级收细。

按粒度换砂纸，保持水润和清洗。

抛光前留下浅而一致的细磨纹。

SMARTLAM 2.0：切片分析研磨用200 mm手动盘面

芯片封装 / 多层结构研磨要接近目标结构，不适合一路快速去除。SMARTLAM 2.0配200 mm盘面，方便短磨、冲洗、观察。样品进到目标附近后，靠细粒度砂纸和短时间接触控制去除量。

步骤

确定耗材

起始参数

过程观察

控制动作

接近层位

SiC STANDARD P1200

130 rpm / 手动轻压 / 20-30 s

芯片层位接近观察范围。

冲洗确认层位和方向。

细磨

SiC STANDARD P2400

120 rpm / 手动轻压 / 20 s

硅片边缘和树脂界面保持连续。

硬脆结构暴露后缩短单次接触。

精磨

SiC STANDARD P4000

110 rpm / 手动轻压 / 15-20 s

细磨纹均匀。

必要时用金刚石薄膜砂纸补充细磨。

抛光步骤

确定耗材

起始参数

承接研磨的状态

主抛

TOUCHLAM 2TS4 + NEODIA F 3 μm

110 rpm / 8-10 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 45-60 s

层位细磨纹开始收敛。

细抛

TOUCHLAM 4FV3 + NEODIA F 1 μm

95 rpm / 6-8 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 30-45 s

铜线和树脂边界更清楚。

终抛

TOUCHLAM 4MP1 + FINAL胶体二氧化硅

90 rpm / 6 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 45-90 s

硬脆边缘和层位稳定。