镀层-涂层-薄层截面切片分析案例(研磨篇)

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图1 铜镀层与边缘截面示例。

镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨先找目标位置。看层厚、层间界面、边缘轮廓和基材过渡区。接近目标后短磨、冲洗、观察,给后续抛光留出余量。

案例设定

内容

适用样品

镀铜层、镀锌层、涂层、氧化层和功能薄层截面。

观察目标

看层厚、层间界面、边缘轮廓和基材过渡区。

研磨配置

SMARTLAM 2.0 手动磨抛机,200 mm盘面;SiC STANDARD P1200 / P2400 / P4000。

 

镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨控制重点

控制重点

样品状态

研磨目标

薄层保留

目标层很薄,接近后去除量要小。

短磨后观察,保留抛光和测量余量。

界面轮廓

涂层和基材软硬不同。

P2400和P4000逐步收细,减少界面拖花。

镶嵌支撑

边缘没有支撑时,薄层容易塌边。

好的镶嵌先把边缘撑住,研磨时层线更稳。

 

镀层 / 涂层 / 薄层截面 LAM PLAN研磨推荐组合,SiC STANDARD P1200、P2400、P4000砂纸颗粒图

图2 镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨阶段推荐耗材组合。

耗材配置与样品控制

控制重点

推荐型号

耗材特点

制样表现

薄层接近

SiC STANDARD P1200

细粒度起步,避免粗磨过深。

目标层进入观察范围时还有余量。

界面细化

SiC STANDARD P2400

继续降低划痕深度。

层间边界更连续。

抛光前整理

SiC STANDARD P4000

浅细纹整理。

3 μm抛光可以直接承接。

 

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图3 镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨阶段推荐设备与起始参数。

设备配置与工艺控制

控制重点

SMARTLAM 2.0特点

起始设置

制样表现

停点观察

手动接触,短时间推进。样品接近目标时可以马上停下来确认。

200 mm盘面;120-160 rpm;手动轻压。

目标位置不容易一次磨过。

方向控制

样品方向由操作者直接控制,孔壁、焊点或层位可以按目标方向靠近。

每道15-30 s;冲洗后观察。

截面偏斜时能及时修正。

细磨承接

P1200、P2400、P4000逐级收细。

按粒度换砂纸,保持水润和清洗。

抛光前留下浅而一致的细磨纹。

 

SMARTLAM 2.0推荐说明

SMARTLAM 2.0:切片分析研磨用200 mm手动盘面

镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨要接近目标结构,不适合一路快速去除。SMARTLAM 2.0配200 mm盘面,方便短磨、冲洗、观察。样品进到目标附近后,靠细粒度砂纸和短时间接触控制去除量。

 

LAM PLAN研磨路线

镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨流程,接近目标、细磨、精磨三步

图4 镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨阶段流程。

步骤

确定耗材

起始参数

过程观察

控制动作

接近薄层

SiC STANDARD P1200

130 rpm / 手动轻压 / 20-30 s

涂层进入观察范围。

冲洗确认层厚余量。

细磨

SiC STANDARD P2400

120 rpm / 手动轻压 / 20 s

层间界面保持连续。

短时间推进。

精磨

SiC STANDARD P4000

110 rpm / 手动轻压 / 15-20 s

细磨纹均匀。

停止研磨,进入3 μm抛光。

 

后续抛光承接

抛光步骤

确定耗材

起始参数

承接研磨的状态

主抛

TOUCHLAM 2TS4 + NEODIA F 3 μm

110 rpm / 8-10 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 45-60 s

细磨纹开始收敛。

细抛

TOUCHLAM 4FV3 + NEODIA F 1 μm

95 rpm / 6-8 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 30-45 s

界面线条更干净。

终抛

TOUCHLAM 4MP2 + ALPLAN 0.05 μm

90 rpm / 6 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 30-45 s

厚度测量线稳定。

 

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