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镀层-涂层-薄层截面切片分析案例(研磨篇)

图1 铜镀层与边缘截面示例。
镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨先找目标位置。看层厚、层间界面、边缘轮廓和基材过渡区。接近目标后短磨、冲洗、观察,给后续抛光留出余量。
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案例设定 |
内容 |
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适用样品 |
镀铜层、镀锌层、涂层、氧化层和功能薄层截面。 |
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观察目标 |
看层厚、层间界面、边缘轮廓和基材过渡区。 |
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研磨配置 |
SMARTLAM 2.0 手动磨抛机,200 mm盘面;SiC STANDARD P1200 / P2400 / P4000。 |
镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨控制重点
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控制重点 |
样品状态 |
研磨目标 |
|
薄层保留 |
目标层很薄,接近后去除量要小。 |
短磨后观察,保留抛光和测量余量。 |
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界面轮廓 |
涂层和基材软硬不同。 |
P2400和P4000逐步收细,减少界面拖花。 |
|
镶嵌支撑 |
边缘没有支撑时,薄层容易塌边。 |
好的镶嵌先把边缘撑住,研磨时层线更稳。 |

图2 镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨阶段推荐耗材组合。
耗材配置与样品控制
|
控制重点 |
推荐型号 |
耗材特点 |
制样表现 |
|
薄层接近 |
SiC STANDARD P1200 |
细粒度起步,避免粗磨过深。 |
目标层进入观察范围时还有余量。 |
|
界面细化 |
SiC STANDARD P2400 |
继续降低划痕深度。 |
层间边界更连续。 |
|
抛光前整理 |
SiC STANDARD P4000 |
浅细纹整理。 |
3 μm抛光可以直接承接。 |

图3 镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨阶段推荐设备与起始参数。
设备配置与工艺控制
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控制重点 |
SMARTLAM 2.0特点 |
起始设置 |
制样表现 |
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停点观察 |
手动接触,短时间推进。样品接近目标时可以马上停下来确认。 |
200 mm盘面;120-160 rpm;手动轻压。 |
目标位置不容易一次磨过。 |
|
方向控制 |
样品方向由操作者直接控制,孔壁、焊点或层位可以按目标方向靠近。 |
每道15-30 s;冲洗后观察。 |
截面偏斜时能及时修正。 |
|
细磨承接 |
P1200、P2400、P4000逐级收细。 |
按粒度换砂纸,保持水润和清洗。 |
抛光前留下浅而一致的细磨纹。 |
SMARTLAM 2.0推荐说明
|
SMARTLAM 2.0:切片分析研磨用200 mm手动盘面 镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨要接近目标结构,不适合一路快速去除。SMARTLAM 2.0配200 mm盘面,方便短磨、冲洗、观察。样品进到目标附近后,靠细粒度砂纸和短时间接触控制去除量。 |
LAM PLAN研磨路线

图4 镀层 / 涂层 / 薄层截面研磨阶段流程。
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步骤 |
确定耗材 |
起始参数 |
过程观察 |
控制动作 |
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接近薄层 |
SiC STANDARD P1200 |
130 rpm / 手动轻压 / 20-30 s |
涂层进入观察范围。 |
冲洗确认层厚余量。 |
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细磨 |
SiC STANDARD P2400 |
120 rpm / 手动轻压 / 20 s |
层间界面保持连续。 |
短时间推进。 |
|
精磨 |
SiC STANDARD P4000 |
110 rpm / 手动轻压 / 15-20 s |
细磨纹均匀。 |
停止研磨,进入3 μm抛光。 |
后续抛光承接
|
抛光步骤 |
确定耗材 |
起始参数 |
承接研磨的状态 |
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主抛 |
TOUCHLAM 2TS4 + NEODIA F 3 μm |
110 rpm / 8-10 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 45-60 s |
细磨纹开始收敛。 |
|
细抛 |
TOUCHLAM 4FV3 + NEODIA F 1 μm |
95 rpm / 6-8 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 30-45 s |
界面线条更干净。 |
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终抛 |
TOUCHLAM 4MP2 + ALPLAN 0.05 μm |
90 rpm / 6 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 30-45 s |
厚度测量线稳定。 |
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