IC顶部研磨-芯片层位接近切片分析案例(研磨篇)
图1 IC顶部研磨层位示例。
IC顶部研磨 / 芯片层位接近研磨先找目标位置。看芯片顶层位置、金属层、树脂封装和目标层位余量。接近目标后短磨、冲洗、观察，给后续抛光留出余量。
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案例设定 |
内容 |
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适用样品 |
IC封装、芯片顶层、金属互连和需要逐层接近的目标层位。 |
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观察目标 |
看芯片顶层位置、金属层、树脂封装和目标层位余量。 |
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研磨配置 |
SMARTLAM 2.0 手动磨抛机，200 mm盘面；SiC STANDARD P1200 / P2400 / P4000。 |
IC顶部研磨 / 芯片层位接近研磨控制重点
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控制重点 |
样品状态 |
研磨目标 |
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目标位置 |
看芯片顶层位置、金属层、树脂封装和目标层位余量。 |
先把目标带入观察范围，再进入细磨。 |
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材料差异 |
陶瓷、硅片、玻璃或硬质填料边缘容易崩裂。 |
细粒度推进；硬脆结构暴露后缩短单次接触。 |
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结构支撑 |
硬脆相和树脂支撑不同。 |
镶嵌先撑住边缘，再进入P4000整理。 |
图2 IC顶部研磨 / 芯片层位接近研磨阶段推荐耗材组合。
耗材配置与样品控制
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控制重点 |
推荐型号 |
耗材特点 |
制样表现 |
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接近目标 |
SiC STANDARD P1200 |
细粒度起步，避免粗磨一次去除过多。 |
目标结构进入观察范围时仍有余量。 |
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细化截面 |
SiC STANDARD P2400 |
继续收细P1200研磨纹。 |
边缘、层位或焊点状态更稳定。 |
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抛光前整理 |
SiC STANDARD P4000 |
形成浅而一致的细磨纹。 |
3 μm抛光可以直接承接。 |
图3 IC顶部研磨 / 芯片层位接近研磨阶段推荐设备与起始参数。
设备配置与工艺控制
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控制重点 |
SMARTLAM 2.0特点 |
起始设置 |
制样表现 |
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停点观察 |
手动接触，短时间推进。样品接近目标时可以马上停下来确认。 |
200 mm盘面；120-160 rpm；手动轻压。 |
目标位置不容易一次磨过。 |
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方向控制 |
样品方向由操作者直接控制，孔壁、焊点或层位可以按目标方向靠近。 |
每道15-30 s；冲洗后观察。 |
截面偏斜时能及时修正。 |
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细磨承接 |
P1200、P2400、P4000逐级收细。 |
按粒度换砂纸，保持水润和清洗。 |
抛光前留下浅而一致的细磨纹。 |
SMARTLAM 2.0推荐说明
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SMARTLAM 2.0：切片分析研磨用200 mm手动盘面 IC顶部研磨 / 芯片层位接近研磨要接近目标结构，不适合一路快速去除。SMARTLAM 2.0配200 mm盘面，方便短磨、冲洗、观察。样品进到目标附近后，靠细粒度砂纸和短时间接触控制去除量。 |
LAM PLAN研磨路线
图4 IC顶部研磨 / 芯片层位接近研磨阶段流程。
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步骤 |
确定耗材 |
起始参数 |
过程观察 |
控制动作 |
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接近目标 |
SiC STANDARD P1200 |
130 rpm / 手动轻压 / 20-30 s |
目标位置接近观察范围。 |
短磨后冲洗观察。 |
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细磨 |
SiC STANDARD P2400 |
120 rpm / 手动轻压 / 20 s |
上一道研磨纹变浅。 |
确认边界、层位或失效位置。 |
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精磨 |
SiC STANDARD P4000 |
110 rpm / 手动轻压 / 15-20 s |
表面进入抛光前状态。 |
停止研磨，转入3 μm抛光。 |
后续抛光承接
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抛光步骤 |
确定耗材 |
起始参数 |
承接研磨的状态 |
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主抛 |
TOUCHLAM 2TS4 + NEODIA F 3 μm |
110 rpm / 8-10 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 45-60 s |
层位细磨纹开始收敛。 |
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细抛 |
TOUCHLAM 4FV3 + NEODIA F 1 μm |
95 rpm / 6-8 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 30-45 s |
边界更清楚。 |
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终抛 |
TOUCHLAM 4MP1 + FINAL胶体二氧化硅 |
90 rpm / 6 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 45-90 s |
硬脆边缘和层位稳定。 |
