since 1962
-
金相专用精密切割设备
金相专用高效切割设备
金相专用精密切割轮
金相专用切割冷却液
金相专用高效切割轮
金相专用金刚石切割轮
全自动金相专用多轴切割设备
-
清洁能源冷镶嵌耗材
清洁能源冷镶嵌设备
清洁能源热镶嵌耗材
清洁能源热镶嵌设备
-
金相&切片
专用磨盘
半导体
专用砂纸
切片分析
专用砂纸
金相&切片
专用预抛盘
金相&切片
专用全自动磨抛机
金相&切片
专用简便快速换盘
金相&切片
专用手动磨抛机
-
金相&切片
专用手动磨抛机
金相&切片
专用全自动磨抛机
金相&切片
专用简便快速换盘
金相&切片高浓度单晶金刚石抛光液
金相&切片
专用抛光布
金相&切片高浓度
氧化物抛光液
金相&切片高浓度多晶金刚石抛光液
金相&切片即用型
多晶金刚石抛光液
镍基高温合金金相分析案例(研磨篇)

图1 高温合金组织示例。
镍基高温合金研磨阶段需要稳定压力和刚性磨削。硬材料前段用固定磨料盘建立平面,再用Silver配9 μm金刚石液进入抛光前状态。
|
案例设定 |
内容 |
|
适用样品 |
镍基高温合金、铸造高温合金和热端部件截面。 |
|
观察目标 |
γ/γ'组织、析出相、细划痕和终抛表面状态。 |
|
研磨配置 |
MASTERLAM 3.0 + CAMEO DISK Platinium 2 / Platinium 4 / Silver。 |
镍基高温合金研磨控制重点
|
控制重点 |
样品状态 |
研磨目标 |
|
硬质表面打开 |
高硬度表面和切割痕需要稳定去除。 |
先建立完整平面,再进入细化研磨。 |
|
边缘保持 |
硬化层、碳化物和边缘区域需要保持清楚。 |
用刚性磨盘和稳定压力保持边缘轮廓。 |
|
抛光承接 |
硬材料细划痕顽固。 |
9 μm预磨把表面带入可抛光状态。 |

图2 镍基高温合金研磨阶段推荐耗材组合。
耗材配置与样品控制
|
控制重点 |
推荐型号 |
耗材特点 |
制样表现 |
|
平面建立 |
CAMEO DISK Platinium 2 |
固定磨料切削力足,适合高硬材料前段去除。 |
平面更快建立,边缘轮廓清楚。 |
|
细化研磨 |
CAMEO DISK Platinium 4 |
承接前道粗纹,把划痕继续收细。 |
硬质区域周边划痕降低。 |
|
抛光前承接 |
CAMEO DISK Silver + NEODIA F 9 μm |
Silver适合硬质黑色金属预磨。 |
后续3 μm抛光更顺。 |

图3 镍基高温合金研磨阶段推荐设备与起始参数。
设备配置与工艺控制
|
控制重点 |
MASTERLAM 3.0特点 |
起始设置 |
制样表现 |
|
硬材料去除 |
自动加载压力,压力自动补偿保持设定压力,盘面和样品头稳定运行。 |
推荐300 mm盘面;单点加压25-30 N/样;压力自动补偿;250-300 rpm。 |
硬材料前段去除更稳定。 |
|
程序固化 |
转速、压力、时间按粒度保存。 |
Platinium 2、Platinium 4、Silver分道设置。 |
同类硬材料可重复执行。 |
|
单点控制 |
单点加压按样品分别控制,压力自动补偿把实际压力补回设定值。 |
推荐300 mm盘面;单点加压25-30 N/样。 |
边缘、硬质相和局部过渡区受力更细。 |
MASTERLAM 3.0重点说明
|
MASTERLAM 3.0:硬材料研磨的稳定压力 镍基高温合金前段研磨需要足够稳定的压力和刚性磨削。MASTERLAM 3.0推荐使用300 mm盘面,把转速、压力和时间固定下来,压力自动补偿维持设定压力,1 N步幅让压力设定更细。Platinium 2、Platinium 4和Silver预磨之间的过渡更清楚。 |
LAM PLAN研磨路线

图4 镍基高温合金研磨阶段流程。
|
步骤 |
确定耗材 |
起始参数 |
过程观察 |
控制动作 |
|
平面磨 |
CAMEO DISK Platinium 2 |
280 rpm / 30 N/样 / 90 s |
切割痕收敛,表面建立平面。 |
清洗后进入细化研磨。 |
|
细磨 |
CAMEO DISK Platinium 4 |
250 rpm / 25-30 N/样 / 60 s |
前道划痕变浅,边缘保持清楚。 |
进入Silver预磨。 |
|
预磨 |
CAMEO DISK Silver + NEODIA F 9 μm |
200 rpm / 25 N/样 / 90-120 s |
9 μm预磨纹稳定。 |
冲洗后进入3 μm抛光。 |
后续抛光承接
|
抛光步骤 |
确定耗材 |
起始参数 |
承接研磨的状态 |
|
主抛 |
TOUCHLAM 2TT2 + NEODIA F 9 μm |
150 rpm / 18-20 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 120 s |
难抛表面主划痕收敛。 |
|
精抛 |
TOUCHLAM 2TS4 + NEODIA F 3 μm |
130 rpm / 12-15 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 90 s |
析出相周边细纹降低。 |
|
终抛 |
TOUCHLAM 4MP2 + FINAL胶体二氧化硅 |
100 rpm / 8-10 N/样 / DISTRILAM少量供液 / 90-150 s |
最终表面发雾降低。 |