Polishing application center

金相抛光应用方案与案例

从切片分析和金属材料两个方向进入,判断边界、细划痕、拖尾、浮雕和终抛表面,再匹配自动抛光、手动补抛、抛光布和抛光液。

Polishing focus by sample

不同样品,先看不同的抛光重点

切片分析

截面边界,不能被抛圆

孔壁铜层、焊点界面、芯片层位和端子边缘已经接近观察面后,抛光重点转为细纹整理和边界保持。布面、抛光液、载荷和时间都要围绕边界稳定来设置。

PCB通孔微切片抛光案例
PCB 通孔 / 微切片

孔中心和孔壁铜层

抛光重点 看孔壁铜层、孔口边缘和树脂边界。细纹收掉后要及时检查,避免铜拖尾、孔口圆化和树脂边界发糊。

LAMPLAN 推荐 自动抛光用轻载荷、短时间推进,压力补偿保持接触连续;配合支撑性抛光布和细粒度抛光液,让孔壁边界进入可测量状态。

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BGA焊点截面抛光案例
BGA / 焊点截面

焊料和铜界面

抛光重点 看焊料、铜垫和 IMC 层边界。焊料偏软,抛光时间过长或布面不合适,会把焊点边缘抹圆、拖尾。

LAMPLAN 推荐 选用支撑性较好的抛光布,配合细粒度金刚石抛光液逐步收细纹;自动滴液让布面状态更稳定,减少人为补液带来的波动。

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芯片封装多层结构抛光案例
芯片封装 / 器件截面

芯片层位、硅片和脆性结构

抛光重点 看硅片、金属层、填料和封装树脂。层位接近后,抛光只做细纹整理和边界显现,不能用长时间抛光继续推进目标。

LAMPLAN 推荐 用自动机轻载荷、短时间抛光,1N 步幅便于细调接触压力;终抛前先确认前道细纹是否已经收敛,再选择最终抛液。

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连接器端子截面抛光案例
FPC / 连接器 / 端子截面

柔性基材和端子边缘

抛光重点 看端子、镀层和塑胶包覆边界。薄金属边缘、塑胶边界和镶嵌支撑会一起影响最终截面,抛光不能把端子边缘卷曲或抛糊。

LAMPLAN 推荐 前道镶嵌先把边缘托住,抛光阶段用稳定压力和自动滴液维持布面状态;需要局部修整时,再用手动设备短时补抛。

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金属材料分析

组织观察面,不能把表面抛假

材料硬度、组织观察目的和研磨细纹决定抛光步骤。细划痕、变形层、拖尾和浮雕处理到位,腐蚀前表面才稳定。

Application scenarios

对应抛光方案

研磨完成后,按样品类型选择抛光布、抛光液、压力和终抛时间。下面选取常见样品,点开后直接进入对应抛光案例。

切片分析

围绕目标边界展开

切片分析抛光要让孔壁、焊点、芯片层位和薄层边界稳定呈现。表面变亮只是过程结果,边界不能被抛圆、拖尾或发糊。

孔壁镀铜厚度测量抛光案例
孔壁镀铜厚度测量

孔壁铜层和测量边界

关注孔壁铜层厚度、孔口边缘和树脂边界。抛光后边界要清楚,测量线不能被铜拖尾或边缘圆化影响。

匹配方向
轻载荷自动抛光 / 短时终抛 / 测量前检查
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焊点空洞焊球空洞抛光案例
焊点空洞 / 焊球空洞

空洞位置和焊球中心

关注空洞边缘、焊料基体和焊球中心位置。抛光阶段要收掉细纹,同时避免把空洞边界抹圆。

匹配方向
支撑性抛光布 / 轻载荷 / 分段检查
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IC顶部芯片层位抛光案例
IC 顶部层位

芯片层位接近

关注芯片层位、金属层边界和封装树脂表面。抛光只收细纹,不继续推进层位。

匹配方向
短时细抛 / 显微检查 / 控制终抛时间
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镀层涂层薄层截面抛光案例
镀层 / 涂层 / 薄层

薄层厚度和界面轮廓

关注薄层厚度、界面直线度和基材过渡区。抛光要保留边界,不把薄层拖散或抛圆。

匹配方向
支撑性抛光布 / 轻载荷 / 短时终抛
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金属材料分析

围绕组织真实性展开

金属材料抛光要让组织、相界、夹杂物和腐蚀前表面稳定呈现。亮度只是结果之一,表面不能被抛假。

锌涂层抛光案例
锌涂层

涂层厚度和界面保持

关注锌层厚度、界面轮廓和基材过渡区。抛光要让涂层边界清楚,同时控制软涂层拖尾。

匹配方向
支撑性抛光布 / 细粒度抛光液 / 自动滴液
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粉末冶金件抛光案例
粉末冶金件

孔隙和颗粒边界

关注孔隙边缘、颗粒边界和夹杂物保持。抛光要减少边缘圆化,让孔隙形貌稳定呈现。

匹配方向
自动抛光 / 支撑性布面 / 控制浮雕
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增材制造金属件与粉末抛光案例
增材制造金属件与粉末

熔池边界和粉末状态

关注熔池边界、孔隙、未熔粉末和组织过渡。抛光要控制浮雕,让不同区域不会被表面高低差掩盖。

匹配方向
自动抛光 / 细抛承接 / 终抛检查
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镍基高温合金抛光案例
镍基高温合金

高硬合金和细划痕收敛

关注高硬基体、析出相和细划痕收敛。抛光阶段要把前道纹路收干净,再进入稳定终抛。

匹配方向
自动抛光 / 金刚石抛光液 / 最终抛液
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Products

抛光设备与配套耗材选择

设备负责压力、时间和滴液稳定;抛光布和抛光液负责细划痕收敛、拖尾控制和终抛表面。

SMARTLAM 3.0
单点压力半自动磨抛机

SMARTLAM 3.0

适合小批量制样和单点压力抛光,1N 压力步幅便于细调接触状态,并可配合自动滴液控制液量。

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SMARTLAM 2.0
单盘手动磨抛机

SMARTLAM 2.0

用于手动补抛和局部修整,适合切片分析中需要短时接触、取下观察再继续处理的样品。

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MASTERLAM 3.0
中央 / 单点压力自动磨抛机

MASTERLAM 3.0

用于自动抛光流程,压力补偿保持接触连续,1N 压力步幅便于细调,适合批量样品和高硬材料细抛。

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MASTERLAM 1.1
大直径中央压力自动磨抛机

MASTERLAM 1.1

适合批量样品自动抛光,300mm 盘面让布面状态和样品分布更稳定,压力补偿保持抛光过程连续。

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MASTERLAM 1.0
中央压力自动磨抛机

MASTERLAM 1.0

用于标准化自动抛光流程,压力补偿和 1N 压力步幅用于控制批量样品的重复性。

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2FC1
金相抛光布

2FC1

短绒布面,适合部分金属材料中间抛光和划痕收敛。

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2TS3
金相抛光布

2TS3

布面支撑性较好,适合控制细划痕和边缘形貌。

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2TS4
金相抛光布

2TS4

用于细抛阶段,帮助减少拖尾并保持观察面稳定。

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2TT1
金相抛光布

2TT1

适合对表面支撑和细纹收敛有要求的抛光步骤。

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2TT2
金相抛光布

2TT2

用于中后段抛光,兼顾表面细化和边缘保持。

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3FV1
金相抛光布

3FV1

黑色布面,适合金刚石抛光液配合使用。

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3FV2
金相抛光布

3FV2

适合中间抛光和细抛衔接,帮助表面逐步收敛。

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3SA4
金相抛光布

3SA4

用于需要更柔和布面接触的抛光阶段。

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3SE2
金相抛光布

3SE2

适合细抛和最终抛前的表面整理。

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3TL1
金相抛光布

3TL1

用于对细纹控制和表面均匀性有要求的流程。

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4FV3
金相抛光布

4FV3

用于细抛和最终抛承接,保持布面稳定。

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4MP1
金相抛光布

4MP1

黑色布面,适合细抛阶段配合金刚石抛光液使用。

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4MP2
金相抛光布

4MP2

黑色布面,适合细抛和表面收敛步骤。

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NEODIA P 0.25微米
多晶金刚石抛光液

NEODIA P 0.25微米

用于细抛阶段,适合细划痕收敛和表面整理。

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NEODIA P 1微米
多晶金刚石抛光液

NEODIA P 1微米

用于细抛阶段,帮助承接前道金刚石抛光。

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NEODIA P 2微米
多晶金刚石抛光液

NEODIA P 2微米

用于中后段抛光,兼顾切削和表面细化。

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NEODIA P 3微米
多晶金刚石抛光液

NEODIA P 3微米

用于常规中间抛光,收敛前道研磨细纹。

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NEODIA P 6微米
多晶金刚石抛光液

NEODIA P 6微米

用于粗抛或前段抛光,建立后续细抛基础。

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NEODIA P 9微米
多晶金刚石抛光液

NEODIA P 9微米

用于前段抛光,适合较明显研磨纹的初步收敛。

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NEODIA P 14微米
多晶金刚石抛光液

NEODIA P 14微米

用于粗抛阶段,承接较粗研磨后的表面处理。

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NEODIA F 1微米
即用型多晶金刚石抛光液

NEODIA F 1微米

即用型配方,适合细抛阶段稳定供液。

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NEODIA F 3微米
即用型多晶金刚石抛光液

NEODIA F 3微米

即用型配方,适合中后段抛光和细纹转换。

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NEODIA F 6微米
即用型多晶金刚石抛光液

NEODIA F 6微米

即用型配方,适合前段抛光和自动滴液系统使用。

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NEODIA F 9微米
即用型多晶金刚石抛光液

NEODIA F 9微米

即用型配方,适合较粗抛光阶段的稳定供液。

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NEODIA F 14微米
即用型多晶金刚石抛光液

NEODIA F 14微米

即用型配方,适合粗抛阶段快速进入后续细化。

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NEODIA M 0.25微米
单晶金刚石抛光液

NEODIA M 0.25微米

用于细抛阶段,适合对表面细化有要求的材料。

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NEODIA M 1微米
单晶金刚石抛光液

NEODIA M 1微米

用于细抛阶段,帮助减少细划痕残留。

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NEODIA M 2微米
单晶金刚石抛光液

NEODIA M 2微米

用于中后段抛光,适合常规金属材料表面整理。

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NEODIA M 3微米
单晶金刚石抛光液

NEODIA M 3微米

用于中间抛光,承接前道研磨或粗抛。

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NEODIA M 6微米
单晶金刚石抛光液

NEODIA M 6微米

用于前段抛光,适合常规划痕收敛。

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NEODIA M 9微米
单晶金刚石抛光液

NEODIA M 9微米

用于前段抛光,适合较粗表面的初步处理。

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NEODIA M 14微米
单晶金刚石抛光液

NEODIA M 14微米

用于粗抛阶段,建立后续细抛基础。

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L2
氧化物复合最终抛液

L2

用于最终抛光阶段,帮助处理终抛发雾和细微表面状态。

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FINAL
胶体二氧化硅最终抛光液

FINAL

用于最终抛光阶段,适合细化表面和改善腐蚀前状态。

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L1
机化学最终抛光液

L1

用于最终抛光阶段,适合需要机化学作用的材料表面整理。

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ALPLAN 0.05微米
氧化铝最终抛光液

ALPLAN 0.05微米

用于最终抛光和精细表面整理。

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ALPLAN 0.25微米
氧化铝最终抛光液

ALPLAN 0.25微米

用于最终抛光阶段,适合细微划痕收敛。

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ALPLAN 1微米
氧化铝抛光液

ALPLAN 1微米

用于细抛阶段,适合氧化铝体系抛光流程。

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ALPLAN 3微米
氧化铝抛光液

ALPLAN 3微米

用于中间抛光,承接前道研磨纹。

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Polishing support

抛光结果不稳定时,可以把样品情况发给我们

如果样品在抛光过程中出现细划痕收不掉、拖尾、浮雕、边缘圆化、树脂发糊、终抛发雾或腐蚀前表面不稳定,可以把样品材料、观察目标、当前抛光布、抛光液、设备参数和显微照片发给我们。我们会先看表面状态和制样步骤,再给出调整建议。